内存与性能

1、内存概述

BK7256芯片整体有4*128K sram，双核各有独立的32k dtcm和32k itcm，8M PSRAM

2、PSRAM概述

BK7256芯片有8M PSRAM，当前默认将最后1M(0x60700000~0x60800000)用作堆内存使用，可通过宏 CONFIG_PSRAM_HEAP_BASE 和 CONFIG_PSRAM_HEAP_SIZE 进行配置来扩大堆内存，这两个宏的设置值以十进制为单位。
功能开关CONFIG_PSRAM_AS_SYS_MEMORY依赖CONFIG_PSRAM和CONFIG_FREERTOS_V10

内存接口psram_malloc和psram_free
BK7256芯片PSRAM只支持4字节对齐访问，必须按照WORD操作PSRAM申请内存并保证4字节对齐
#include <os/mem.h>

#define os_write_word(addr,val)                 *((volatile uint32_t *)(addr)) = val
#define os_read_word(addr,val)                  val = *((volatile uint32_t *)(addr))
#define os_get_word(addr)                       *((volatile uint32_t *)(addr))

void os_memcpy_word(uint32_t *out, const uint32_t *in, uint32_t n);
void os_memset_word(uint32_t *b, int32_t c, uint32_t n);
此外，由于BK7256芯片PSRAM必须4字节对齐访问，在对PSRAM内存进行写入时，需要注意访问的地址必须四字节对齐，且为了满足一些需要对PSRAM内存进行1字节或者2字节写入的需求，故而封装了以下四个函数供使用，这些函数都无需使用者考虑地址是否对齐，代码路径为：.\include\driver\psram.h，具体分别是
static inline void bk_psram_byte_write(unsigned char *addr, unsigned char value);        //PSRAM 1字节数据写入
static inline void bk_psram_half_word_write(unsigned short *dst, unsigned short value);  //PSRAM 2字节数据写入
static inline void bk_psram_word_write(unsigned int *src, unsigned int value);           //PSRAM 4字节数据写入
static inline void bk_psram_word_memcpy(void *dst_t, void *src_t, unsigned int length);  //PSRAM 内存拷贝
BK7256芯片低压功能PARAM会下电，退出低压模式时必须使用void bk_psram_heap_init(void)接口重新初始化PSRAM Heap内存，并且之前通过psram_malloc申请的内存，不能再使用。

3. PSRAM 划分

BK7256芯片有8M PSRAM，前7M主要用于Camera数据采集、LCD图像显示；

800*600分辨率

yuv图片存储地址范围，0x60000000-0x603BFFFF，共4帧，
    显示占用1帧，pingpang buffer占用1帧，jpeg解码占用1帧，旋转占用1帧；
jpeg图片存储地址范围0x603C0000-0x60488000，共4帧，
    camera采集占用1帧，jpeg解码占用1帧，图传使用时占用1帧，存图使用时占用1帧；

1280*720分辨率

yuv图片存储地址范围，0x60000000-0x6056FFFF，共3帧，
    显示占用1帧，pingpang buffer占用1帧，jpeg解码占用1帧；
jpeg图片存储地址范围，0x60570000-0x60637FFF，共4帧，
    camera采集占用1帧，jpeg解码占用1帧，图传使用时占用1帧，存图使用时占用1帧；

LVGL画图

LVGL画图起始地址：0x60500000 (可配置)